固态硬盘能写多少?

根据NAND Flash的类型不同，擦除寿命P/E也不相同，目前存在的NAND Flash分为SLC、MLC、TLC三种类型，加上即将出现的QLC一共是四种。三种类型的闪存P/E分别为SLC 5000～10000次，MLC 1000～3000次，TLC 500～1000次。QLC有多少呢?根据现在的说法，QLC结构的闪存P/E只有150次。150次那不是完全不能用吗?别担心，技术在进步，这只是初期的技术验证产物，后续肯定会改良。别忘了TLC刚刚上市的时候，P/E不过500次而已。

在这里，小编还要给大家解除一个误区，很多人说写入次数太少了肯定寿命短，但是这个长短的概念可真不是单纯字面理解的1000次、3000次什么的。举个实际点的例子吧，小编的120GB固态硬盘是TLC的，按照1000次的P/E写入次数计算，这块硬盘的写入总量应该是120×1000=120000GB，如果是每天写满120GB，那么它的寿命理论是2.7年。是不是感觉很少呢?

这就是问题所在，说说结果吧，从今年1月3日开始使用这块固态硬盘，目前为止接近半年时间(180天)总计写入量为2413GB，相当于平均每天只写入了13.4GB，距离理论每天写满120GB差了将近10倍，2.7年的所谓理论寿命是不是毫无意义了?

固态硬盘寿命杀手究竟是谁?

与其担心写入量的问题会影响固态硬盘寿命，不如担心一下固态硬盘寿命的真正杀手——过热和突然断电。因为固态硬盘是用电信号擦除写入数据，所以突然断电对固态硬盘来说非常严重的事情，频繁的突然断电可能会导致数据丢失，包括已写入保存的数据!这和机械硬盘是有本质区别的。所谓突然断电，比如说停电、硬关机这类都属于断电范畴。

另一个寿命杀手就是过热了，固态硬盘其实耐热能力不如机械硬盘，过热会极大缩短固态硬盘中闪存颗粒的寿命，这是因为电子芯片会因为过热产生一种叫做电子迁移的现象，说白一点就是加速老化，从物理结构上造成不可逆的寿命损伤，如果长时间高强度使用固态硬盘，再加上散热工作不到位，就很容易造成固态硬盘过热，就小编的看法，这远比关心闪存颗粒的擦写次数更值得关注。

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